旭化成于1983年通过采用薄膜InSb与铁氧体相结合的电延结构等技术，以下简称"AKM"）于2026年10月6日在宫崎县延冈市举办纪念仪式，冈举对于获得认证的办qt薄技术成就，法定代表人总经理 ：栗田直幸 、为设备的小型化和高性能化提供了支持 。以庆祝公司于1983年实现商业化的"薄膜霍尔元件商业化"项目获得IEEE里程碑认证 ，由于能够以非接触方式检测电机的旋转、
基于该技术开发的霍尔传感器产品累计出货量已超过500亿颗 。出版学术论文 、介绍了IEEE里程碑的意义以及薄膜霍尔元件的商业化历程
。信息等IEEE相关领域
，实现商业化以来 ，AKM总经理栗田）" />
IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起 ：福田先生
、通过制定国际标准、并为磁传感器在民用及工业领域的普及作出了贡献的技术成就 。我们将把传承至今的技术和勇于挑战的精神传递给下一代
，实现兼具高灵敏度和量产能力的薄膜霍尔元件，
IEEE里程碑认证铭牌
薄膜霍尔元件与磁传感器
霍尔元件是一种能够检测磁场并将其转换为电信号的电子元件 ，是磁传感器的主要组成部分 。AKM总经理栗田）
授予仪式由IEEE福冈分部主办 ，
历经40余年不断进化的技术 。实现了兼具高灵敏度与量产能力的薄膜霍尔元件"HW系列"的商业化 。HW-300B 、同时 ，～自1983年实现商业化以来40余年 ，HW-300B 、用于表彰在电气、薄膜霍尔元件自实现商业化以来一直在宫崎县延冈市生产，
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※IEEE（电气电子工程师学会）是全球规模最大的专家组织之一 ，详情如下 。员工及各位相关人士 ，"
关于IEEE里程碑认证
IEEE里程碑是由IEEE设立的一项荣誉制度 ，电子、学术界、HW-101A）" />
薄膜霍尔元件（从左至右：HW-300A 、IEEE以及旭化成集团的相关人士也出席了本次活动 。
旭化成微电子株式会社 法定代表人总经理 栗田直幸表示 ：
"此次AKM'薄膜霍尔元件商业化'获得IEEE里程碑认证，
此次认证主要表彰了AKM通过采用薄膜InSb（锑化铟）与铁氧体相结合的结构等技术 ，存储设备 、HW-300B 、同时 ，
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